9:00 AM - 10:40 AM
[23a-P06-1] Study on PD Structures of SOI-Si/4H-SiC Hybrid Image Sensors
Keywords:semiconductor, SOI, image sensor
本研究グループではSi PDとSiC MOSFETを組み合わせたハイブリッド構造の耐放射線イメージセンサを提案してきた。このハイブリッド構造はSOIを用いた直接接合によって形成する。Si-PD本研究ではこの4H-SiC/SOI-SiハイブリッドイメージセンサにおけるSi PDのデバイス構造検討を行ったので報告する。