[23a-P06-1~5] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[23a-P06-1] SOI-Si/4H-SiCハイブリッドイメージセンサにおけるPD構造の検討

〇(M1)堤 将之¹、目黒 達也¹、河村 和也¹、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：半導体、SOI、イメージセンサ

本研究グループではSi PDとSiC MOSFETを組み合わせたハイブリッド構造の耐放射線イメージセンサを提案してきた。このハイブリッド構造はSOIを用いた直接接合によって形成する。Si-PD本研究ではこの4H-SiC/SOI-SiハイブリッドイメージセンサにおけるSi PDのデバイス構造検討を行ったので報告する。