2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2021年9月23日(木) 11:00 〜 12:40 P10 (ポスター)

11:00 〜 12:40

[23a-P10-13] ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2 層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性

戸田 圭太郎1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)

キーワード:窒化ガリウム、原子堆積法、高電子移動度トランジスタ

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は次世代のパワーデバイスとして研究されている。Al2O2 とSiO2 を用いて2 層絶縁膜を形成することにより、界面特性が良いMIS 構造を作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではデバイスのノーマリーオフ化を図るため、2層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT を作製し、I-V 特性をパルス特性も含めて評価した。