[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-13] ALD により成膜したSiO₂/Al₂O₃ 2 層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性

〇戸田 圭太郎¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、原子堆積法、高電子移動度トランジスタ

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は次世代のパワーデバイスとして研究されている。Al₂O₂ とSiO₂ を用いて2 層絶縁膜を形成することにより、界面特性が良いMIS 構造を作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではデバイスのノーマリーオフ化を図るため、2層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT を作製し、I-V 特性をパルス特性も含めて評価した。