[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-5] SiO₂膜を介したSOI基板と4H-SiC基板の直接接合の検討

〇(M2)河村 和哉¹、目黒 達也¹、堤 将之¹、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：半導体、直接接合

本研究ではSiCとSiの利点を併せ持つハイブリッドデバイスの開発に向けたSi-SiC基板の直接接合に着目し、熱酸化膜を接合界面に挟んだSi-SOI/SiO₂/4H-SiCの接合条件最適化を行ったのでこれを報告する。