[23a-P10-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-P10-8] Effect of Operating Temperature on Thermionic Emission of Si-doped AlGaN/6H-SiC

〇Takuya Fujimoto¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Hisao Miyazaki², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Research & Development Center, Toshiba Corp.)

Keywords:AlGaN, Thermionic Emission, Work Function

Al_xGa_1-xN は、熱的・化学的に安定な材料であることに加え、 Al 組成比 x を変化させることでバンドギャップと仕事関数を調整することができる。また、エミッタ表面をセシウム(Cs)で被覆することにより、熱電子放出におけるポテンシャル障壁を軽減できるため、動作温度の低減が期待できる。これまでの研究で、Al組成比の増加に伴いAlGaNの仕事関数が低減し、Cs被覆Siドープn型AlGaNでは約300 ℃から熱電子放出が生じることが確認された。発表ではAlGaNをエミッタとする熱電子発電器の動作特性と解析結果について報告する。