[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-8] SiドープAlGaN/6H-SiCの熱電子放出における動作温度の影響

〇藤本 拓矢¹、木村 重哉²、吉田 学史²、宮崎 久生²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株) 東芝 研究開発センター)

キーワード：AlGaN、熱電子放出、仕事関数

Al_xGa_1-xN は、熱的・化学的に安定な材料であることに加え、 Al 組成比 x を変化させることでバンドギャップと仕事関数を調整することができる。また、エミッタ表面をセシウム(Cs)で被覆することにより、熱電子放出におけるポテンシャル障壁を軽減できるため、動作温度の低減が期待できる。これまでの研究で、Al組成比の増加に伴いAlGaNの仕事関数が低減し、Cs被覆Siドープn型AlGaNでは約300 ℃から熱電子放出が生じることが確認された。発表ではAlGaNをエミッタとする熱電子発電器の動作特性と解析結果について報告する。