The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23p-P12-1~11] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

Thu. Sep 23, 2021 3:00 PM - 4:40 PM P12 (Poster)

3:00 PM - 4:40 PM

[23p-P12-2] Effects of substrate surface polarity on surface morphology of (ZnO)x(InN)1-x films fabricated by magnetron sputtering

〇(M2)Ryota Narishige1, Daisuke Yamashita1, Kunihiro Kamataki1, Takamasa Okumura1, Kazunori Koga1, Masaharu Shiratani1, Naho Itagaki1 (1.Kyushu Univ.)

Keywords:ZION, ZnO, sputtering

我々は,ZnOとInNの疑2元混晶である(ZnO)x(InN)1-x(以下ZION)を開発している.ZIONは, 30–60 meVの高い励起子束縛エネルギーを有し, エキシトントランジスタなどの励起子デバイス用材料として期待されている.本研究では,ZnO基板の面極性がZION膜の表面モフォロジーに及ぼす影響を詳細に調べ,その原因について表面原子の移動度の観点から考察した.