[23p-P12-1~11] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23p-P12-3] Growth of single-crystalline Zn_1-xMg_xO films on sapphire substrate using ZnON buffer layers

〇(M2)Daichi Takahashi¹, Daisuke Yamashita¹, Takamasa Okumura¹, Kunihiro Kamataki¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:ZnMgO, sputtering, hetero epitaxy

バンドギャップチューニング可能なワイドギャップ半導体としてZn_1-xMg_xOが注目されている．しかし，一般的に基板に用いられているサファイア基板上との間には18%程度の大きな格子不整合率があり，高品質な単結晶薄膜の成長には課題が残されている．本研究では，粒系が10 nm以下のZnO結晶粒で構成され，かつ原子レベルで平坦な表面を有するZnONバッファー層を用いることで，高Mg組成比での単結晶Zn_1-xMg_xO薄膜の成長に成功したので報告する．