一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
13:30 〜 13:45
〇窪田 航1、宇都宮 徹1、一井 崇1、杉村 博之1 (1.京大院工)
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13:45 〜 14:00
〇(M1)竹内 聡1、大堀 大介1,4、石田 昌久2、曽田 匡洋2、遠藤 和彦1,3、寒川 誠二1,3,4 (1.東北大流体研、2.長瀬産業、3.産総研、4.東北大AIMR)
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14:00 〜 14:15
〇伊藤 真知子1、山田 裕司1、伊藤 文則1 (1.キオクシア(株))
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14:15 〜 14:30
〇唐木 達矢1,2、小林 大輔2、廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.宇宙研)
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14:45 〜 15:00
〇(D)Sylvia YukYee Chung1、Motohiro Tomita1,2、Ryo Yokogawa3,4、Atsushi Ogura3,4、Takanobu Watanabe1,2 (1.Waseda University、2.Comp. Res. Org.、3.Meiji University、4.MREL)
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15:00 〜 15:15
〇服部 淳一1、池上 努1、福田 浩一1 (1.産総研)
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15:15 〜 15:30
〇田中 貴久1、内田 建1 (1.東大工)
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15:30 〜 15:45
〇(B)岡田 丈1、橋本 風渡1、森 伸也1 (1.阪大院工)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇橋本 風渡1、森 伸也1 (1.阪大工)
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16:00 〜 16:15
〇福田 浩一1、服部 淳一1、浅井 栄大1、矢板 潤也2、小谷 淳二2 (1.産総研、2.富士通)
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