[16a-Z16-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[16a-Z16-7] Crystal face dependence of channel characteristics of GaN UMOS subjected to TMAH treatment

〇Hirohisa Hirai¹, Yoshinao Miura¹, Akira Nakajima¹, Shinsuke Harada¹, Hiroshi Yamaguchi¹ (1.AIST)

Keywords:GaN, MOS, trench

高チャネル移動度のGaN MOS技術確立は、中耐圧領域での次世代縦型パワーデバイスの低ON抵抗化に資する可能性がある。低ON抵抗化にはUMOS構造が有利であり、その際チャネルとなるトレンチ面上のMOS特性を詳しく調べる必要がある。本研究は、UMOSチャネル特性に対するトレンチ面方位の影響を調べ、TMAH液によるGaNウェットエッチ処理により明確な面方位依存性が表れることを明らかにした。