[16a-Z16-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[16a-Z16-8] Effect of Nitrogen Plasma Treatment on Characteristics of GaN Trench MOSFETs

〇(M2)KyungPil NAM¹, Takashi Ishida^1,2, Maciej Matys², Tsutomu Uesugi², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya University, 2.IMaSS)

Keywords:GaN Trench MOSFET, Nitrogen Plasma Treatment

高性能トレンチMOSFET実現のためには、チャネル移動度の向上が重要であり、特にトレンチ形成時のICP-RIEによるトレンチ側壁ダメージの低減が鍵となる。今回は、エッチング後処理として窒素プラズマ処理による影響について検討した。
電界効果移動度に関しては、窒素プラズマ処理ありの場合で48 cm²/Vs、窒素プラズマ処理なしの場合は32 cm²/Vsとなり改善が見られた。移動度の傾きの傾向から、クーロン散乱が低減されたことが改善の理由と考えている。