[16a-Z33-1~10] 6.3 Oxide electronics

[16a-Z33-5] Fabrication of nanogap using adhesion lithography and application to planar type TaO_x resistive switching memory

〇Daiki Tateishi¹, Takahiko Ban¹, Shinichi Yamamoto¹ (1.Ryukoku Univ.)

Keywords:adhesion lithography, resistive switching memory

次世代の記憶素子の一つである抵抗変化型素子は、横(プレーナー)型の構造も研究されている。プレーナー型の抵抗変化型メモリにはnmオーダーの間隔を持つ電極対が必要となるが、電子線描画装置が必要となる。このため，より簡便にナノギャップ電極を作製するため，本実験ではフォトリソグラフィとSAM膜を利用した接着リソグラフィを用いてナノギャップを作製した。これを利用しプレーナー型の抵抗変化型素子の作製を行った。