[16a-Z33-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-Z33-5] 接着リソグラフィを用いたナノギャップの作製とプレーナー型TaO_x抵抗変化型素子への応用

〇立石 大樹¹、番 貴彦¹、山本 伸一¹ (1.龍谷大理工)

キーワード：接着リソグラフィ、抵抗変化型素子

次世代の記憶素子の一つである抵抗変化型素子は、横(プレーナー)型の構造も研究されている。プレーナー型の抵抗変化型メモリにはnmオーダーの間隔を持つ電極対が必要となるが、電子線描画装置が必要となる。このため，より簡便にナノギャップ電極を作製するため，本実験ではフォトリソグラフィとSAM膜を利用した接着リソグラフィを用いてナノギャップを作製した。これを利用しプレーナー型の抵抗変化型素子の作製を行った。