[16p-P12-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[16p-P12-2] SiO₂膜中欠陥への歪みの影響の理論検討

〇(M1C)西村 豪広¹、影島 博之¹ (1.島根大院自然科学)

キーワード：絶縁破壊、欠陥、第一原理計算

立体型Si MOSFETにおける絶縁破壊機構を明らかにするためにSi酸化膜中の欠陥に対する歪効果を第一原理計算を用いて検討した。