2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-Z25-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2021年3月16日(火) 13:30 〜 16:15 Z25 (Z25)

森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

14:00 〜 14:15

[16p-Z25-3] LSIデバイス開発のためのAFM-IR空間分解能向上に関する実用研究

伊藤 真知子1、山田 裕司1、伊藤 文則1 (1.キオクシア(株))

キーワード:化学結合状態、赤外分光法、ナノスケール

LSIデバイス開発では、微細構造作製プロセスにおける材料物性変化を調べるためのナノスケールの化学結合状態分析が重要である。結合種を検出する赤外分光法の中で面分解能が最も高いAFM-IRをLSIデバイス構造へ展開すべく、デバイスの汎用材料であるシリコン窒化膜を用いて面分解能の検証および改善に取り組んだ。その結果、従来の顕微FT-IRに比べて約100分の1のスケールで化学結合情報の取得に成功した。