[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

△ [16p-Z26-5] Hf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体膜の薄膜化と低温プロセス化の両立の検討

〇田原 建人¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大工)

キーワード：強誘電体、薄膜化、メモリ

HfO₂系強誘電体は最初に報告されて以来、薄膜での強誘電体特性の発現やCMOSプロセスとの親和性の高さから注目されている。特にバックエンドプロセスでのFeRAMへの応用の観点では、強誘電結晶相形成のための熱処理プロセスの低温化と低電圧動作のための薄膜化の両立が重要な鍵となる。そこで本研究では、TiN/Hf_0.5Zr_0.5O₂/TiN のMFM構造のキャパシタを異なる膜厚とアニール条件にて作製し、薄膜化と低温プロセス化の両立の可能性について調査を行なった。