[17a-Z02-1~8] Start up of "Module Science": Comparison of Packaging Technologies of Various Semiconductor Devices

[17a-Z02-8] Potential-induced degradation of n-type front-emitter crystalline Si photovoltaic modules without encapsulant using high performance material

〇Kodai Nakamura¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Solar cell, PID

耐久性、絶縁性、耐候性などの良い高機能材料を用いた封止材無しモジュールを作製し、n型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化を調査した。封止材無しモジュールでは、短絡電流密度および開放電圧がほとんど低下せず、最大出力の低下が無い。封止材が無く、高抵抗率材料を用いたためにリーク電流が流れづらくなることで、SiN_x膜からの電子移動が制限され、性能低下が抑制できたと考えられる。