[17a-Z03-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17a-Z03-3] Generation and annihilation of plasma-induced defects ~ quantitative evaluation by carrier lifetime~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹, Takayoshi Tsutsumi², Masatu Hori² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:defects, interface, carrier lifetime

先端半導体デバイスの作製に用いるプラズマプロセスにおいて、プロセス中のイオン衝撃によりデバイス内に欠陥が生じることが知られている。これらの欠陥は、デバイスの性能劣化をもたらすため、欠陥発生の抑止、もしくは、欠陥の修復が必要不可欠である。これまで、イオン由来の結晶シリコン(c-Si)内の欠陥は数多く報告されているが、薄膜を有する場合の薄膜/c-Si界面における欠陥に関する報告例は少ない。今回、太陽電池パッシベーション用の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)膜付 c-Siウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、a-Si:H/ c-Si界面近傍の欠陥を少数キャリアのライフタイム測定を通し定量的に調査したので報告する。