[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17a-Z03-3] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～少数キャリアライフタイムによる定量評価～

〇布村 正太¹、坂田 功¹、堤 隆嘉²、堀 勝² (1.産総研、2.名大)

キーワード：欠陥、界面、キャリアライフタイム

先端半導体デバイスの作製に用いるプラズマプロセスにおいて、プロセス中のイオン衝撃によりデバイス内に欠陥が生じることが知られている。これらの欠陥は、デバイスの性能劣化をもたらすため、欠陥発生の抑止、もしくは、欠陥の修復が必要不可欠である。これまで、イオン由来の結晶シリコン(c-Si)内の欠陥は数多く報告されているが、薄膜を有する場合の薄膜/c-Si界面における欠陥に関する報告例は少ない。今回、太陽電池パッシベーション用の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)膜付 c-Siウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、a-Si:H/ c-Si界面近傍の欠陥を少数キャリアのライフタイム測定を通し定量的に調査したので報告する。