[17a-Z26-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17a-Z26-8] HfO_x系ReRAMにおけるフォーミング電圧の電極材料依存性

〇(M1C)鈴木 政洋¹、道古 宗俊¹、石井 芳晶¹、茂庭 昌弘¹ (1.東京工科大工)

キーワード：ReRAM、不揮発性メモリ、半導体

透明ReRAMにおける電極材料選択の指針を求めて、電極材料の酸化エネルギーの違いの影響を、フォーミング電圧に着目して比較検討した。上部電極に、Hf, Al, Ni （酸化エネルギー： Hf < Al < Ni）を選び、下部電極はHfとした。上部電極の酸化エネルギーが小さい場合は正電圧印加時に、大きい場合は負電圧印加時にフォーミングした。電極からの酸素空孔の放出量の相違に基づくことが考えられる。