[17p-P02-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P02-1] 直接貼付InP/SiO₂/Si基板上表面二電極構造MQW レーザの発振特性

〇韓 旭¹、対馬 幸樹¹、石崎 隆浩¹、白井 琢人¹、佐藤 元就¹、澁川 航大¹、伊藤 慎吾¹、阿形 幸二¹、小谷 桃子¹、下村 和彦¹ (1.上智大)

キーワード：LD、InP/SiO2/Si substrate、wafer directly bonding