[17p-P02-1~8] 3.13 Semiconductor optical devices

[17p-P02-3] Electric field distribution of MQW laser on directly bonded InP/SiO₂/Si substrate

〇Shingo Ito¹, Hann Xu¹, Kota Shibukawa¹, Koki Tsushima¹, Takahiro Ishizaki¹, Takuto Shirai¹, Motonari Sato¹, Koji Agata¹, Momoko Kotani¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia University)

Keywords:Silicon photonics, Optical interconnection, Optical communication

大規模集積回路の高速大容量通信の低消費電力化に向け，シリコンプラットフォーム上における光デバイスの集積が盛んに研究されている．当研究室では，薄膜InPをSiO₂/Siに直接貼り付けをしたInP/SiO₂/Si上にMOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた[1,2]．今回, InP/SiO₂/Si上におけるハイメサ形レーザの電界分布についてシミュレーションを行い，適切な構造を検討した．