[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-11] (111) InAs-OI nMOSFETのチャネル薄膜化による移動度向上の実現と伝導帯内の界面準位の実験的評価

〇(DC)隅田 圭¹、吉津 遼平²、トープラサートポン カシディット^1,2、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.東大工)

キーワード：半導体、InAs、MOSFET

極薄膜(111) InAs-OI構造を用いることによる L点伝導の実現によって, III-V nMOSFETsの本質的な課題である低い半導体容量と, 強い膜厚揺らぎ散乱を解決出来ることを我々は提案した. 本研究では実際に膜厚を3nmまで薄くした(111) InAs-OI nMOSFETを作製し, 結果として薄膜化によるL点占有率の向上によって移動度が向上することを見出した. 更に伝導帯内の界面準位を評価する新規手法として, 自己無撞着Hall-QSCV法を提案し, InAsの伝導帯内の界面準位を極めて定量的に評価した.