[17p-Z26-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[17p-Z26-2] [The 12th Silicon Technology Division Paper Award Speech] Reaction Kinetic Analysis of Desorption Behavior of Hydrogen in Projection Range of Multi-Element Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafer for Advanced CMOS image sensors

〇Ryosuke Okuyama¹, Ayumi Masada¹, Satoshi Shigematsu¹, Ryo Hirose¹, Takeshi Kadono¹, Yoshihiro Koga¹, Hidehiko Okuda¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:Molecular ion implantation, Hydrogen diffusion, Passivation

CMOSイメージセンサではSiO₂/Si界面準位密度（D_it）の低減が重要な技術課題である。我々は注入領域からの水素脱離によってD_itの低減が可能である炭化水素分子イオン注入ウェーハと、さらに酸素を追加した多元素分子イオン注入ウェーハを開発してきた。多元素分子イオン注入領域の水素脱離挙動は従来の炭化水素分子イオン注入領域とは異なることが推察される。そのため、多元素分子イオン注入領域における水素脱離挙動の解析をおこなった。