[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-2] [第12回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 次世代CMOSイメージセンサ向け多元素分子イオン注入ウェーハにおける水素脱離挙動の反応速度論による解析と考察

〇奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：分子イオン注入、水素拡散、パッシベーション

CMOSイメージセンサではSiO₂/Si界面準位密度（D_it）の低減が重要な技術課題である。我々は注入領域からの水素脱離によってD_itの低減が可能である炭化水素分子イオン注入ウェーハと、さらに酸素を追加した多元素分子イオン注入ウェーハを開発してきた。多元素分子イオン注入領域の水素脱離挙動は従来の炭化水素分子イオン注入領域とは異なることが推察される。そのため、多元素分子イオン注入領域における水素脱離挙動の解析をおこなった。