[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-4] [第12回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測

〇濱野 誉^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起欠陥、エネルギー準位分布、電気容量解析

プラズマプロセス誘起欠陥は特徴的な物理的深さプロファイル，バンドギャップ内のエネルギー準位分布を有し，様々な形態をとりうる．Si基板表面の欠陥に対して，特に深さプロファイルに焦点を当てた解析が進められてきたが，エネルギー準位分布の解析手法確立には至っていない．本研究では，Si基板内の様々な欠陥準位分布を考慮した電気特性予測手法を構築し，特徴的な実験結果と比較することでギャップ内欠陥準位分布を予測した．