[17p-Z26-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[17p-Z26-5] [The 12th Silicon Technology Division Young Researcher Award Speech] Normally-off PVD-MoS₂ nMISFETs for chip-level integration

〇Kentaro Matsuura¹ (1.Sony Corporation)

Keywords:Molybdenum Disulfide, Sputtering, Normally-off operation

本研究では、スパッタリング法で堆積した薄膜MoS₂をチャネルとし、チップサイズにMISFETsを作成し、MoS₂膜のキャリア密度と、MoS₂/絶縁膜界面電荷密度の低減によりnormally-off動作を実現した。当日は、二次元半導体研究の最新事例も紹介し、研究動向についても報告する。また、本研究は、発表者が東京工業大学博士後期課程在籍時に行ったものである。ソニー株式会社は現在の所属先であり、研究内容とは一切関係ない。