[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-6] [講演奨励賞受賞記念講演] BEOLプロセス互換酸化物半導体In-Al-Zn-Oを用いたゲート長40 nmのSurrounding Gate縦型FETの動作実証

〇藤原 弘和¹、佐藤 祐太¹、斉藤 信美¹、上田 知正¹、池田 圭司¹ (1.キオクシア(株))

キーワード：酸化物半導体、縦型電界効果トランジスタ

移動度とプロセス耐熱性を両立した酸化物半導体In-Al-Zn-Oをチャネルに用いてSurrounding Gate縦型FETを作製し、電気伝導特性と信頼性を評価した。このデバイスは420 ^oCのアニールを施した後でも良好なカットオフ特性を示した。加えて高い信頼性を示し、10¹¹サイクル以上のエンデュランス特性も達成している。以上の成果は、酸化物半導体を用いた短チャネルSurrounding Gate縦型FETの動作実証に世界で初めて成功したものである。