[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-8] 転写技術によるSi/Ge異種チャネル相補型FET(hCFET)の開発

〇前田 辰郎¹、石井 裕之¹、入沢 寿史¹、洪 子杰²、宋 柏融²、李 耀仁²、張 文馨¹ (1.産総研、2.台湾半導体研究中心)

キーワード：転写技術、hCFET、ゲルマニウム

2nm世代以降の新たCMOSアーキテクチャとして、nFETとpFETが同じチャネルレイアウトで上下に積層され、共通ゲートで動作させるComplementary FET(CFET)が注目されている。CFETでは、上下のチャンネル性能バランスを図るため、チャネル膜厚や積層数など、3次元的な設計最適化が必要となるが、Si nFETとGe pFETの異種(heterogeneous)チャネル積層もその一つの手段となる。今回我々は、転写技術を使ってSi層とGe層の異種積層構造を作り、heterogeneous Complementary FET (hCFET)を実現したので報告する。