[17p-Z33-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

[17p-Z33-6] Comparison between step and continuous composition grading methods for formation of SiGe on Si(110) substrates

〇Miki Horiuchi¹, Shingo Saito¹, Kousuke Hara¹, Junji Yamanka¹, Keisuke Arimoto¹ (1.Univ.Yamanashi)

Keywords:Crystal growth, Strained Si, SiGe

先行研究より、Si(110)基板上にSiGeを歪み緩和バッファ層として形成した歪みSi p-MOSFETでは高い実効正孔移動度が得られている。しかし、表面平坦性に改善の余地があり、平坦性を向上させることにより更に高い正孔移動度を期待できる。そこで本研究では、組成傾斜SiGe層の形成法としてGe組成を連続的に変化させていく方法を試み、階段組成傾斜法との比較を行った。