[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-Z15-10] 酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ

〇(M1)柴田 優一¹、堀田 昌宏^1,2、田中 亮³、高島 信也³、上野 勝典³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)

キーワード：GaN、イオン注入、DLTS