[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18a-Z15-7] GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響II

〇伊藤 佑太¹、渡邉 浩崇²、安藤 悠人¹、出来 真斗⁴、狩野 絵美²、新田 州吾²、本田 善央²、五十嵐 信行²、田中 敦之^2,3、天野 浩^1,2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.物材機構、4.名大VBL、5.名大ARC)

キーワード：イオン注入、Mg TEM、GaN

Mgイオン注入による任意領域のp型伝導制御は、注入時に導入される欠陥によってアクセプタが補償されることや、Mg偏析によるMgの不活性化が問題とされている。我々のグループでは、試料を1100℃付近に加熱しイオン注入を行うことで、注入時に導入される欠陥が減少することを明らかにしてきた。本実験では、異なるビーム電流量でイオン注入を行い、各試料に導入される欠陥構造を透過型電子顕微鏡で観察した。