2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18a-Z17-1~11] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2021年3月18日(木) 09:00 〜 12:00 Z17 (Z17)

竹中 弘祐(阪大)、竹田 圭吾(名城大)

09:15 〜 09:30

[18a-Z17-2] ベンゼンプラズマにより堆積されたアモルファス炭素膜の化学結合状態に及ぼす基板と原料供給位置の効果

篠原 正典1、仲居 辰夫1、佐々本 凌1、田中 諭志2、松本 貴士2 (1.福岡大工、2.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)

キーワード:ベンゼンプラズマ、赤外分光、原料供給位置

ベンゼンプラズマを用いたアモルファス炭素膜の堆積において,チャンバー内での原料供給位置による膜中の化学結合状態の違いについて調べたので報告する。プラズマ源の上流からベンゼンを供給した場合と基板近くからベンゼンを供給した場合,両者とも膜中にはsp3の炭化水素成分が堆積された。一方,後者の場合のみ,膜中にベンゼン環を残した構造が堆積された。プラズマ中での分子の分解と輸送が影響していると考えている。