The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Mar 18, 2021 9:00 AM - 11:30 AM Z27 (Z27)

Tsutomu Araki(Ritsumeikan Univ.), Atsushi Kobayashi(Univ. of Tokyo)

9:30 AM - 9:45 AM

[18a-Z27-3] Study on the crystal growth conditions of non-polar AlN on Si for GaN template substrate

Masaya Morita1,2, Keiji Ishibashi3, Kenichiro Takahashi3, Toyohiro Chikyow2, Atsushi Ogura1,4, Takahiro Nagata2 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.COMET Inc., 4.MREL)

Keywords:sputtering, XRD, AlN

スパッタ法によるMnSバッファー層を用いたSi上への無極性面AlN及び無極性面GaNの実現に向けて、無極性AlNの検討を行っている。既に、低温AlN層をMnSの上に成長させることでMnS層表面窒化を防ぎ、Si上に無極性面AlNの結晶化を実現できた。本研究ではさらなるAlNの結晶性向上を目的とし、低温AlN層作製条件の検討を行った結果を報告する。