The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Mar 18, 2021 9:00 AM - 11:30 AM Z27 (Z27)

Tsutomu Araki(Ritsumeikan Univ.), Atsushi Kobayashi(Univ. of Tokyo)

9:45 AM - 10:00 AM

[18a-Z27-4] Changes in the lattice relaxation process for the number of Si layer inserted at the initial stage of GaInN growth on GaN

〇(M1)Haruka Yokoyama1, Tomohiro Yamaguchi1, Takuo Sasaki2, Soichiro Ohno1, Takanori Kiguchi3, Hiroki Hirukawa1, Seiji Fujikawa2, Masamitu Takahasi2, Takeyoshi Onuma1, Tohru Honda1 (1.Kogakuin Univ., 2.QST, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:GaInN, MBE

高品質なGaInN薄膜は、光無線給電(OWPT)用の受光器応用に期待される。高品質GaInNヘテロエピタキシャル膜を得るためには、格子緩和プロセスの制御が必要となる。本研究では、GaN上GaInN成長時のその場X線逆格子マッピング(XRD-RSM)観察を通して、GaInN膜成長初期に挿入したSi層の層数を変化させた際の各GaInN膜の格子緩和過程を観察した。Si層の挿入は成長しているGaInN膜の格子緩和を促進する効果があるといえ、層数の変化により異なる緩和過程が確認された。