[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-Z27-4] Changes in the lattice relaxation process for the number of Si layer inserted at the initial stage of GaInN growth on GaN

〇(M1)Haruka Yokoyama¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takuo Sasaki², Soichiro Ohno¹, Takanori Kiguchi³, Hiroki Hirukawa¹, Seiji Fujikawa², Masamitu Takahasi², Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ., 2.QST, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:GaInN, MBE

高品質なGaInN薄膜は、光無線給電(OWPT)用の受光器応用に期待される。高品質GaInNヘテロエピタキシャル膜を得るためには、格子緩和プロセスの制御が必要となる。本研究では、GaN上GaInN成長時のその場X線逆格子マッピング(XRD-RSM)観察を通して、GaInN膜成長初期に挿入したSi層の層数を変化させた際の各GaInN膜の格子緩和過程を観察した。Si層の挿入は成長しているGaInN膜の格子緩和を促進する効果があるといえ、層数の変化により異なる緩和過程が確認された。