[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-Z27-7] スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製

〇窪谷 茂幸¹、岩山 章²、上杉 謙次郎¹、正直 花奈子³、則松 研二¹、三宅 秀人^2,3 (1.三重大地創戦略企、2.三重大院地域イノベ、3.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体