[18a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-Z27-9] 縦型p型GaN SBD構造を用いたショットキー障壁高さの評価

〇青山 航平¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋¹ (1.東京大学生産技術研究所)

キーワード：GaN、スパッタリング、ショットキーバリアダイオード