[18p-Z05-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-Z05-14] Thermal Oxidation Rate of SiC Surface: O2 Pressure Dependence

〇Yuta Murono¹, Masayoshi Sato¹, Haruto Koriyama¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:grouth rate, pressure dependence, xps

SiC 表面の熱酸化は、MOSFET 集積回路の絶縁体薄膜高品質化において重要であり、精力的に研究されている。今回は、初期酸化の振る舞いを詳しく調べるため、酸化剤である酸素圧力を減圧し、酸化速度の変化を、Si 面、C 面それぞれでX 線光電子分光（XPS）により測定した。両面での酸化速度の圧力依存性に顕著な特徴があったので、その結果を報告する。