[18p-Z05-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-Z05-16] First-principles study on defect structure of SiC(000-1)/SiO₂ interface with wet oxidation

〇(M1)Mukai Tsunasaki¹, Yuki Mimbu¹, Mitsuharu Uemoto¹, Tomoya Ono¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:SiC/SiO2 interface, first principle calculation

4H-SiC結晶中のSi空孔に起因する欠陥として4種類の構造が提案されている。梅田らは、dry酸化ではこの4種類すべての構造が観測されるが、wet酸化では2種類しかEDMRで観測されないと報告している。本研究では、この原因を明らかにすべく、密度汎関数理論に基づく第一原理計算により4種類の界面欠陥の形成エネルギーと、C原子とSi原子の未結合手に対するH原子の振る舞いを調べた。講演では、欠陥形成の選択性について議論する。