2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年3月18日(木) 13:30 〜 17:15 Z24 (Z24)

東 清一郎(広島大)、岡田 竜弥(琉球大)

15:45 〜 16:00

[18p-Z24-9] アルカリ金属生成用三次元構造を一括形成したMEMSガスセルの開発

〇(M2)清瀬 俊1、平井 義和1、田畑 修2、土屋 智由1 (1.京大工、2.京先端大工)

キーワード:量子センサ、ウェハプロセス、反応性イオンエッチング

アルカリ金属と不活性ガスをシリコンとガラスの容器に封入した小型ガスセルは,量子センサの重要な構成要素である.本発表は,ウェハレベルで小型かつ高性能なガスセル作製を目的に,CsN3の加熱分解を使ったCs生成をシリコンの三次元微細構造で高効率に達成する新しいガスセル構造を報告する.ウェハレベルで一括作製したガスセルを330℃で約10分加熱すると,従来よりも低温・短時間で必要量のCs生成が確認できた.