[19a-P04-1~9] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[19a-P04-9] プラズマエッチングにおける原子レベルダメージ低減のための低周波電圧を用いたウエハ局所帯電抑制手法の開発

〇落合 亮輔¹、森 功¹、田中 基裕¹ (1.日立ハイテク)

キーワード：プラズマエッチング装置、原子レベル加工、ウエハ表面電荷除去

本研究では、近年の半導体デバイス製造に求められる原子レベルの形状制御実現のため、ウエハ表面の局所的帯電に起因するパターン表面のイオンスパッタダメージを抑制する新たな手法を検討した。本手法は、ウエハバイアス用高周波に低周波電圧を重畳させることで、シースには影響を与えずにウエハ表面の電荷を除去する電流を発生させる。模擬サンプルを用いた検証では、本手法により原子レベルでダメージを抑制することを確認した。