[19a-Z13-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19a-Z13-8] MgおよびCaドーピングによるZnO薄膜のUHF帯電気機械結合係数k_t²の向上

〇泉 航太^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

キーワード：圧電性、相転移

BAWやSAWデバイスで重要なUHF帯におけるMgZnOやCaZnOの電気機械結合係数k_t²については、まだ報告されていない。
本研究では、RFマグネトロンスパッタ法によってMgZnOおよびCaZnOの基板付き薄膜試料を作製し、各ドーパント濃度におけるk_t²および縦波音速V_Lを推定した。