[19a-Z24-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19a-Z24-1] Development of a wide variety of half-inch wafers that can be used in Minimal Fab

〇Kazumasa Nemoto¹, Hiroyuki Tanaka¹, Takaaki Sakai^3,2, Atsushi Kajikura^3,2, Zhen Yang^4,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.Minimal Fab, 3.Fujikoshi, 4.VIYIA)

Keywords:Minimal Fab, Wafer

現在、シリコン以外の素材は開発中であり、ウェハエッジ形状では、加工精度に難易度がありシリコンよりもウェハエッジの形状と表面ラフネスに問題がある。但しミニマル装置では、厚みと直径が正確である前提の上で、ウェハエッジが最低50μm以上のアール面取り形状であれば、アール面取りは規格外でもデバイス試作は可能である。発表当日は、各素材ウェハの詳細な評価と課題、デバイス開発への応用について議論する。