[19a-Z24-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19a-Z24-10] Study of multilayer wiring process using NSG in Minimal Fab

〇Masashi Kase¹, Koga Kazuhiro², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:minimalfab, multilayer wiring

多層配線の層間膜にメガファブでは一般にP-TESOが用いらている。しかし、P-TEOSは連続で成膜していると膜厚や膜質が不安定になりやすく、且つ真空チェンバーが必要なため装置が高価である。ミニマルファブではシンプルで安定、且つ安価のプロセスを目指している。今回、NSGがミニマルファブで多層配線の層間膜に適用できるか検討を行った。NSG塗布の膜厚や均一性、多層配線試作を行った結果を示す。