2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年3月19日(金) 09:00 〜 11:45 Z24 (Z24)

羽深 等(横国大)、呉 研(日大)

11:30 〜 11:45

[19a-Z24-10] ミニマルファブでNSGを用いた多層配線プロセスの検討

加瀬 雅1、古賀 和博2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード:ミニマルファブ、多層配線

多層配線の層間膜にメガファブでは一般にP-TESOが用いらている。しかし、P-TEOSは連続で成膜していると膜厚や膜質が不安定になりやすく、且つ真空チェンバーが必要なため装置が高価である。ミニマルファブではシンプルで安定、且つ安価のプロセスを目指している。今回、NSGがミニマルファブで多層配線の層間膜に適用できるか検討を行った。NSG塗布の膜厚や均一性、多層配線試作を行った結果を示す。