[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-5] マイクロ波励起水蒸気プラズマによるアッシングレートと面内分布の向上のための検討

〇相澤 洸¹、櫻井 匡¹、石島 達夫¹、田中 康規¹、中野 裕介¹、原 史朗^2,3 (1.金沢大自然、2.ミニマルファブ、3.産総研)

キーワード：アッシング、ミニマルファブ、水プラズマ

レジスト除去工程は薬液処理および酸素プラズマアッシングが主流である。我々は新規レジスト除去手法として水プラズマアッシング法の研究開発を進めている。本手法は非常に速いアッシングレートを有しているが，面内均一性を課題としている。本発表では，プラズマ生成部であるアンテナ形状および照射距離を変更し，面内均一性の向上について検討した。