[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-8] ミニマルシリコンCVDにおけるホウ素ドーピング方法

本宮 淳弘¹、大谷 真奈¹、〇羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院理工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、シリコンCVD、三塩化ホウ素

ミニマルCVDにおいて半導体シリコン膜にホウ素を添加する場合、一般に用いられているジボランガスは、危険性と法令（特定高圧ガス）上の理由により、必ずしも適していないと考えられる。そこで、安全なガスとして三塩化ホウ素(BCl₃)を用いて製膜した例を参考とし、本研究ではミニマルシリコンCVDにホウ素を添加する際に三塩化ホウ素を用いる方法を検討した。