[19a-Z24-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19a-Z24-9] Study of Device Process Using Minimal Ion Implantation Tool

〇Noriko Miura¹, Naoki Hashimoto^2,1, Yoshitaka Kitamura^2,1, Fumito Imura³, Kazuhiro Koga¹, Kazushige Sato¹, Yuuki Ishida^3,1, Sommawan Khumpuang^3,1, Shiro Hara^3,1 (1.MINIMAL, 2.FUJI IMVAC INC., 3.AIST)

Keywords:minimalfab, Ion Implantation

ミニマルファブでは、これまでに熱拡散法を用いたTiNゲートSOI CMOSをベースとした集積回路やオペアンプを行ってきたが、今後、トランジスタの微細化による高集積化を行う上で、イオン注入プロセスは必須となる。本研究では、現状のミニマルイオン注入装置のデバイスプロセスへの適用性について、注入量、注入ばらつきなどを中心に議論する。